?靶材中毒是由于在濺射過程中帶有正電的離子聚集在靶表面。然后并沒有得到中和,便出現(xiàn)靶表面負偏壓逐步下降。這所謂的靶中毒現(xiàn)象。對于影響靶材中毒的因素是什么呢?1.影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例,反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。采用中頻電源或射頻電源打一個到兩個小時,可以恢復(fù)。
2024-08-16 面議/套? ? ? 稀土金屬鈰靶材Ce,金屬鉻靶材Cr,金屬鈷靶材Co,金屬銅靶材Cu,稀土金屬鏑靶材Dy,稀土金屬鉺靶材Er,稀土金屬銪靶材Eu,稀土金屬釓靶材Gd,鍺靶材Ge,黃金靶材Au,金屬鉿靶材Hf,稀土金屬鈥靶材Ho,金屬銦靶材In,金屬銥靶材Ir,金屬鐵靶材Fe,金屬鑭靶材La,金屬镥靶材Lu,金屬鎂靶材Mg,金屬錳靶材Mn,難熔金屬鉬靶材Mo,稀土金屬釹靶材Nd,金屬鎳靶材Ni,難熔金屬鈮
2024-08-16 面議/套濺射靶材制備電子薄膜的關(guān)鍵材料,也是濺射過程中的轟擊目標。鎢濺射靶材按照化學(xué)成分可以分為純鎢濺射靶材、鎢合金濺射靶材和氧化鎢濺射靶材。2019年,產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)集中度進一步提高。多晶硅領(lǐng)域,日本日礦金屬、東曹公司,美國霍尼韋爾、普萊克斯公司,排名前五的企業(yè)產(chǎn)量約為23.7萬噸,約占全國總產(chǎn)量的69.3%,同比增長9個百分點日本是大部分國家主要的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)國,并在半導(dǎo)體材料里長期保持優(yōu)勢,生產(chǎn)半導(dǎo)
2024-08-16 面議/套ITO靶材市場應(yīng)用狀況大部分國家2005 年需求563t,2007 年869t,2009 年1300t,2010 年1445t,2012 年將近2000t,每年以平均15%的增長率遞增。其中日本日礦材料公司占市場50%,日本三井礦業(yè)占25%,東曹占15%,科寧占10%,國內(nèi)靶材公司占據(jù)數(shù)額幾乎可以忽略不計。 靶材主要應(yīng)用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。貨品的深加工技術(shù)朝高純化、精細化
2024-08-16 面議/套ITO靶材成形的工藝有冷靜壓成。ITO/Si異質(zhì)結(jié)光電器件與p-n結(jié)光電池比較具有工藝簡單,轉(zhuǎn)換效率高等特點。在靶材制造的過程中,需要經(jīng)歷粉末冶煉、粉末混合、壓制成型、氣氛燒結(jié)、塑性加工、熱處理、超聲探傷、機械加工、水切割、機械加工、金屬化、綁定、超聲、超聲清洗、檢驗出貨。ITO有著多種功用,首先ITO為高帶隙材料,可用作光電池的光入射窗口,又可作為收集光電流的電極,在基底半導(dǎo)體Si上形成勢壘作為
2024-08-16 面議/套目前國內(nèi)氧化物薄膜材料的制備方法和技術(shù)有很多,其中主要的方法有脈沖激光沉積、磁控濺射、電子束蒸發(fā)、分子束外延等物理方法,以及化學(xué)氣相沉積、溶膠-凝膠、噴霧熱解等化學(xué)方法。在這些制備技術(shù)中,磁控濺射鍍膜技術(shù)具有易于大面積鍍膜、工業(yè)化生產(chǎn)以及薄膜品質(zhì)、成分、結(jié)構(gòu)、均勻性等易于調(diào)控的優(yōu)勢,是產(chǎn)業(yè)化制備氧化物薄膜材料的重要方法之一,以該方法制備的氧化物薄膜材料在液晶面板、觸摸屏、薄膜太陽能電池、發(fā)光二極管
2024-08-16 面議/套? ? 尤特制備的AZO靶材,客供太陽能光伏和Low-e玻璃鍍膜用,AZO靶材能制備比例:98:2、99:1,化學(xué)式: AZO。? ? 磁控濺射靶材廣泛應(yīng)用于用于建筑/汽車玻璃工業(yè)、薄膜太陽能工業(yè)、平面顯示工業(yè)、裝飾/功能鍍膜工業(yè)。隨著國內(nèi)靶材行業(yè)研發(fā)的投入和發(fā)展,國內(nèi)已有靶材供應(yīng)商、制造商的生產(chǎn)出來的靶材達到了進口的水平。在廣州,尤特新材料成為全球全球較好個研制最長、最厚旋轉(zhuǎn)靶材的制造商,隨著研
2024-08-16 面議/公斤? ? ? 高純鋁及鋁合金是目前使用廣泛的導(dǎo)電層薄膜材料之一。在這樣的產(chǎn)業(yè)背景下,大部分國家對于晶圓的需求量將不斷提升。據(jù)SEMI預(yù)測,未來兩年,大部分國家晶圓出貨量將從2017年的11448百萬平方英寸上升到2019年的12235百萬平方英寸.年復(fù)合增長率為3.38%;诖,2017年,大部分國家晶圓制造材料市場規(guī)模達到259.8億美元,其中,靶材在晶圓制造和封測中占比均在3%左右,預(yù)計201
2024-08-16 面議/套? ? ? 在市場需求和政策鼓勵下,國內(nèi)半導(dǎo)體市場保持著平穩(wěn)較快發(fā)展,國內(nèi)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)、靶材產(chǎn)業(yè)規(guī)模也日益擴大,其增速高于大部分國家增速,在大部分國家市場中所占份額逐漸提升。得益于中國大陸晶圓廠建設(shè)的迅猛勢頭,中國已經(jīng)成為大部分國家具潛力的半導(dǎo)體材料新興市場。2016 年國內(nèi)半導(dǎo)體用濺射靶材市場規(guī)模打破 14 億元,大部分國家半導(dǎo)體用濺射行業(yè)高層度研究靶材市場規(guī)模打破 12 億美元。我們預(yù)測,未
2024-08-16 面議/套光伏領(lǐng)域?qū)Π胁牡氖褂弥饕潜∧る姵睾虷IT光伏電池。太陽能電池主要包括晶硅電池和薄膜電池,靶材主要應(yīng)用于薄膜太陽能電池的背電極環(huán)節(jié)以及HIT(異質(zhì)結(jié))電池的導(dǎo)體層。晶體硅太陽能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽能電池以及PVD工藝高率硅片太陽能電池,其中硅片涂覆型太陽能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材,目前靶材主要用于太陽能薄膜電池領(lǐng)域,而HIT作為PERC(鈍化發(fā)射極及背局域接觸電池)未來的替代技
2024-08-16 面議/套關(guān)于本網(wǎng)| 大事記|玻璃展會|熱點搜索|玻璃人才|玻璃名錄|站點地圖|活動推廣|隱私聲明|版權(quán)聲明|玻璃供應(yīng)|聯(lián)系我們|English
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