但由于IGBT芯片技術含量較高，制造難度非常大，加上行業(yè)基礎薄弱、資源分散等原因，與全部先進企業(yè)相比，我國在先進IGBT芯片技術及模塊封裝技術的研制上進展緩慢。國產IGBT芯片每年產值不足1億元，在IGBT芯片及及其相關產品上99%以上依賴進口。國內在芯片、封裝、裝置、系統(tǒng)還沒有形成單獨、完整、健全的技術體系和產業(yè)體系，特別是在1200伏以上中高壓IGBT技術及產業(yè)化能力上，與國外廠商仍存在非常大差距，大部分國家IGBT技術依然主要掌握在歐洲和日本等少數(shù)幾家企業(yè)手中。
　　
　　中國南車作為我國較早開展電力電子器件研制與應用的企業(yè)之一，早在1964年，公司就利用硅整流器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的水銀整流管，應用到“韶山”電力機車上，開啟了中國軌道交通裝備的電力電子時代。經過50年的不懈努力，公司以晶閘管為代表的傳統(tǒng)電力電子器件的技術相當成熟，曾開發(fā)出世界上靠前只特高壓直流電用6英寸高壓晶閘管，打破了此前跨國公司在此市場的長期壟斷。
　　
　　為了在較先進的IGBT領域盡快追趕世界高等步伐，早在上個世紀90年代中國南車就開始該項技術的理論研究，培養(yǎng)了一批高技術人才，在IGBT產品應用技術積累豐富的經驗。
　　
　　2008年，南車株洲所成功并購英國丹尼克斯半導體公司，以“資金”換“時間”，實現(xiàn)公司在IGBT領域的靠前次跨越。
　　
　　2009年底，該公司在株洲建成國內首條高壓IGBT模塊封裝線，初次實現(xiàn)高壓大功率IGBT模塊的國產化。
　　
　　2010年，該公司吸納大部分國家研發(fā)資源，在英國成立中國企業(yè)較早的海外功率半導體研發(fā)中心，開展新一代功率半導體前沿技術和共性技術研究，著重開發(fā)新一代高功率IGBT芯片及其模塊產品。
　　
　　2012年5月，公司在株洲投入資金15億元，建設國內靠前條8英寸IGBT有經驗芯片線。通過資本運作和自主創(chuàng)新相結合的方式，中國南車迅速掌握了IGBT芯片設計及封裝成套關鍵技術與工藝，成為國內自主掌握集IGBT芯片、模塊、組件、應用全套技術的企業(yè)。
　　
　　伴隨著中國南車IGBT技術及國產化的進程，我國在電力電子器件領域受制于人的局面由此改變。2008年前，該產品市場價格居高不下；2008年，南車株洲所并購丹尼克斯公司完成后，該產品價格開始下降；而當該公司實現(xiàn)產能后，該產品目前價格已經大幅下降。由此一項，中國南車為國家節(jié)約成本達數(shù)十億元。
　　
　　奮斗目標，瞄準行業(yè)世界前三強
　　
　　中國工程院院士、中國南車株洲所總經理丁榮軍告訴介紹，為了實現(xiàn)“IGBT”國產化之夢，中國南車集合了上百位相關人士，積聚20多年之功，累計投入超過30億元，在IGBT芯片設計、封裝測試、可靠性試驗、系統(tǒng)應用上攻克了30多項重大難題，終于掌握了該器件的成套技術，建立了完整的IGBT規(guī)�；⒂薪涷灮a工藝體系，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產業(yè)鏈。
　　
　　國內首條8英寸IGBT有經驗芯片線一體建成投產，首期將實現(xiàn)年產12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產100萬只IGBT模塊，年產值有望實現(xiàn)20億元，未來將有望實現(xiàn)對進口IGBT的一體替代，強有力地支撐綠色經濟的可持續(xù)健康發(fā)展。
　　
　　丁榮軍表示，今后中國南車將以IGBT全部先進技術為標桿，推動IGBT在新技術、新材料、新工藝方面的持續(xù)創(chuàng)新，不斷完善芯片-模塊-功率單元直至系統(tǒng)應用的完整產業(yè)鏈，力爭早日進入世界電力電子行業(yè)的前三強。

　　老煙囪倒下，新旗濱崛起
　　
　　6月30日，在株洲旗濱集團(601636,股吧)股份有限公司（簡稱旗濱集團）生產車間，工人們依依不舍地把兩條生產線的玻璃冷卻水放掉，兩天后，較后一條生產線也停產。然而，老煙囪倒下的背后，卻見證著一個新企業(yè)的崛起。

　　
　　旗濱玻璃變新產車間

　　7月14日，百里之外的醴陵東富工業(yè)園里，株洲醴陵旗濱玻璃有限公司廠房、宿舍等已經建好，各種設備調試就緒，靠前條生產線點火生產。這標志著，旗濱集團的綠色搬遷圓滿完成，清水塘老工業(yè)區(qū)大企業(yè)搬遷邁出了堅實步伐。