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IBM與MII共同開發(fā)納米壓印光刻介電材料

來源: 作者:佚名 2005/3/11 13:51:00

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IBM公司與Molecular Imprints Inc.(MII)正合作開發(fā)介電材料,以推動(dòng)面向主流芯片制造的納米壓印光刻(nano-imprint lithography)技術(shù)的開發(fā)。這是MII聯(lián)合創(chuàng)始人兼美國德州大學(xué)化學(xué)工程系教授Grant Wilson日前在SPIE微光刻研討會(huì)上透露的。

    Wilson表示,IBM和MII正合作開發(fā)一種旋涂玻璃(spin-on glass),也稱“photo-imagable”介電質(zhì),這種材料用于納米壓印光刻的后端線(back-of-line,BEOL)加工。這表明納米壓印光刻又有了新的應(yīng)用空間。目前該技術(shù)主要用于MEMS制造、存儲(chǔ)媒體和相關(guān)應(yīng)用。

    MII在SPIE上發(fā)表了一篇論文,題為《面向雙大馬士革(dual damascene)加工的直接介電材料壓印技術(shù)》。在論文中,MII聲稱,與傳統(tǒng)光刻技術(shù)相比,納米壓印光刻能減少雙大馬士革芯片制造1/3的工序。

    “通過采用帶兩層圖形的印刷模板,一個(gè)壓印光刻工序就替代了兩個(gè)光刻工序!盡II論文稱。“如果印刷光阻材料采用功能介電材料,效率還有可能進(jìn)一步提高!

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